电容 60 pF
击穿电压 27 V
耗散功率 360 mW
钳位电压 40 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 25.65 V
击穿电压 25.65 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150 ℃
耗散功率Max 360 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MMBZ27VAL,215 | NXP 恩智浦 | TVS 二极管 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MMBZ27VAL,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT23 | 当前型号 | TVS 二极管 | 当前型号 | |
型号: MMBZ27VAL,235 品牌: 恩智浦 封装: TO-236-3 | 完全替代 | ESD Suppressor TVS 30kV 3Pin TO-236AB T/R | MMBZ27VAL,215和MMBZ27VAL,235的区别 | |
型号: MMBZ27VALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 27V 40W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBZ27VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 引脚 | MMBZ27VAL,215和MMBZ27VALT1G的区别 | |
型号: SM05T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 5V 300W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR SM05T1G 二极管阵列 齐纳, 双共阳极, 300 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-23 | MMBZ27VAL,215和SM05T1G的区别 |