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MMBZ27VAL,215

MMBZ27VAL,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
MMBZ27VAL,215中文资料参数规格
技术参数

电容 60 pF

击穿电压 27 V

耗散功率 360 mW

钳位电压 40 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 25.65 V

击穿电压 25.65 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 150 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

MMBZ27VAL,215引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MMBZ27VAL,215 NXP 恩智浦 TVS 二极管 搜索库存
替代型号MMBZ27VAL,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBZ27VAL,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT23

当前型号

TVS 二极管

当前型号

型号: MMBZ27VAL,235

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3

完全替代

ESD Suppressor TVS 30kV 3Pin TO-236AB T/R

MMBZ27VAL,215和MMBZ27VAL,235的区别

型号: MMBZ27VALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 27V 40W

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBZ27VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 引脚

MMBZ27VAL,215和MMBZ27VALT1G的区别

型号: SM05T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 5V 300W

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  SM05T1G  二极管阵列 齐纳, 双共阳极, 300 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-23

MMBZ27VAL,215和SM05T1G的区别