MRF6VP21KHR5
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
MRF6VP21KHR5中文资料参数规格
技术参数
频率 225 MHz
额定电流 5 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 110 V
输出功率 1000 W
增益 24 dB
测试电流 150 mA
输入电容Ciss 506pF @50VVds
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 110 V
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 5
封装 NI-1230
外形尺寸
封装 NI-1230
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 225℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MRF6VP21KHR5引脚图与封装图
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在线购买MRF6VP21KHR5
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF6VP21KHR5 | NXP 恩智浦 | Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-235MHz, 1000W, 50V | 搜索库存 |
替代型号MRF6VP21KHR5
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF6VP21KHR5 品牌： NXP 恩智浦 封装： NI-1230 N-Channel 110V | 当前型号 | Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-235MHz, 1000W, 50V | 当前型号 |
| 型号： MRF6VP21KHR6 品牌： 恩智浦 封装： Air | 完全替代 | Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-235MHz, 1000W, 50V | MRF6VP21KHR5和MRF6VP21KHR6的区别 |