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MCT06030E1001BP100

MCT06030E1001BP100

数据手册.pdf
Vishay Semiconductor 威世 被动器件
MCT06030E1001BP100中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 75.0 V

额定功率 100 mW

电阻 1 kΩ

阻值偏差 ±0.1 %

额定电压 75 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1608

封装 0603

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

封装公制 1608

封装 0603

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±15 ppm/K

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

MCT06030E1001BP100引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MCT06030E1001BP100 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  MCT06030E1001BP100  SMD片式电阻, 薄膜, MCT系列, 1 kohm, 75 V, 0603 [1608公制], 100 mW, ± 0.1% 搜索库存
替代型号MCT06030E1001BP100
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MCT06030E1001BP100

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: 0603 1kΩ 100mW ±0.1%

当前型号

VISHAY  MCT06030E1001BP100  SMD片式电阻, 薄膜, MCT系列, 1 kohm, 75 V, 0603 [1608公制], 100 mW, ± 0.1%

当前型号

型号: ERA3APB102V

品牌: 松下

封装: 0603 1kΩ 100mW ±0.1%

功能相似

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS  ERA3APB102V  片式电阻器, 表面贴装, 金属膜, AEC-Q200 ERA系列, 1 kohm, 150 V, 0603 [1608公制], 100 mW, ± 0.1%

MCT06030E1001BP100和ERA3APB102V的区别

型号: RP73D1J1K0BTDG

品牌: Holsworthy

封装: 1kΩ 100mW ±0.1%

功能相似

TE CONNECTIVITY / HOLSWORTHY  RP73D1J1K0BTDG  片式电阻器, 表面贴装, 薄膜, RP73系列, 1 kohm, 50 V, 0603 [1608公制], 100 mW, ± 0.1%

MCT06030E1001BP100和RP73D1J1K0BTDG的区别