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MRF6VP3450HR5

MRF6VP3450HR5

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

晶体管, 射频FET, 110 V, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230

RF Mosfet LDMOS(双) 860MHz 22.5dB 90W NI-1230


得捷:
LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF P


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R


Newark:
# NXP  MRF6VP3450HR5  RF FET Transistor, 110 V, 470 MHz, 860 MHz, NI-1230


RfMW:
RF Power Transistor,470 to 860 MHz, 450 W, Typ Gain in dB is 22.5 @ 860 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787


MRF6VP3450HR5中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

额定电流 10 µA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 4

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 110 V

输出功率 90 W

增益 22.5 dB

测试电流 1.4 A

输入电容Ciss 373pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 NI-1230

外形尺寸

封装 NI-1230

物理参数

重量 13192.6 mg

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MRF6VP3450HR5引脚图与封装图
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在线购买MRF6VP3450HR5
型号 制造商 描述 购买
MRF6VP3450HR5 NXP 恩智浦 晶体管, 射频FET, 110 V, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230 搜索库存
替代型号MRF6VP3450HR5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MRF6VP3450HR5

品牌: NXP 恩智浦

封装: NI-1230 N-Channel 110V

当前型号

晶体管, 射频FET, 110 V, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230

当前型号

型号: MRF6VP3450HR6

品牌: 恩智浦

封装: NI-1230

完全替代

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H

MRF6VP3450HR5和MRF6VP3450HR6的区别