MCT06030E1000BP100
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Vishay Semiconductor
威世
被动器件
MCT06030E1000BP100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 75.0 V
额定功率 100 mW
电阻 100 Ω
阻值偏差 ±0.1 %
额定电压 75 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装公制 1608
封装 0603
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
封装公制 1608
封装 0603
物理参数
温度系数 ±15 ppm/K
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
MCT06030E1000BP100引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCT06030E1000BP100 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY MCT06030E1000BP100 SMD片式电阻, 薄膜, MCT系列, 100 ohm, 75 V, 0603 [1608公制], 100 mW, ± 0.1% | 搜索库存 |
替代型号MCT06030E1000BP100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MCT06030E1000BP100 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 0603 100Ω 100mW ±0.1% | 当前型号 | VISHAY MCT06030E1000BP100 SMD片式电阻, 薄膜, MCT系列, 100 ohm, 75 V, 0603 [1608公制], 100 mW, ± 0.1% | 当前型号 |
| 型号： RP73D1J100RBTDG 品牌： Holsworthy 封装： 100Ω 100mW ±0.1% | 功能相似 | TE CONNECTIVITY / HOLSWORTHY RP73D1J100RBTDG 片式电阻器, 表面贴装, 薄膜, RP73系列, 100 ohm, 50 V, 0603 [1608公制], 100 mW, ± 0.1% | MCT06030E1000BP100和RP73D1J100RBTDG的区别 |