
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 256000 B
电源电压 3V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 BSOP-44
封装 BSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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M48T37V-10MH6E | ST Microelectronics 意法半导体 | 3.3V - 5V 256 Kbit的32Kb的X8 TIMEKEEPER SRAM 3.3V-5V 256 Kbit 32Kb x8 TIMEKEEPER SRAM | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: M48T37V-10MH6E 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: SOIC 3.3V 44Pin | 当前型号 | 3.3V - 5V 256 Kbit的32Kb的X8 TIMEKEEPER SRAM 3.3V-5V 256 Kbit 32Kb x8 TIMEKEEPER SRAM | 当前型号 | |
型号: M48T37V-10MH1F 品牌: 意法半导体 封装: SOIC 3.3V 44Pin | 完全替代 | M48T 系列 256Kb 32Kb x 8 3 V SOH-44 计时器 SRAM 100 ns 卷盘包装 | M48T37V-10MH6E和M48T37V-10MH1F的区别 | |
型号: M48T37V-10MH6F 品牌: 意法半导体 封装: SOIC 3.3V 44Pin | 完全替代 | 5.0或3.3 V , 256千位( 32千位×8 ) TIMEKEEPER ? SRAM 5.0 or 3.3 V, 256 Kbit 32 Kbit x 8 TIMEKEEPER® SRAM | M48T37V-10MH6E和M48T37V-10MH6F的区别 | |
型号: M48T37V-10MH1E 品牌: 意法半导体 封装: SOIC 3.3V 44Pin | 类似代替 | 5.0或3.3 V , 256千位( 32千位×8 ) TIMEKEEPER ? SRAM 5.0 or 3.3 V, 256 Kbit 32 Kbit x 8 TIMEKEEPER® SRAM | M48T37V-10MH6E和M48T37V-10MH1E的区别 |