M29W200BB55N1
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
M29W200BB55N1中文资料参数规格
技术参数
存取时间 55.0 ns
内存容量 2000000 B
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP-48
外形尺寸
封装 TSOP-48
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
M29W200BB55N1引脚图与封装图
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在线购买M29W200BB55N1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M29W200BB55N1 | ST Microelectronics 意法半导体 | 2兆位（ 256Kb的X8或X16 128KB ，引导块）低压单电源闪存 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory | 搜索库存 |
替代型号M29W200BB55N1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M29W200BB55N1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 48-TSOP 2000000B 55ns | 当前型号 | 2兆位（ 256Kb的X8或X16 128KB ，引导块）低压单电源闪存 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory | 当前型号 |
| 型号： M29W200BB70N1 品牌： 意法半导体 封装： 48TSOP 70ns | 功能相似 | 2兆位（ 256Kb的X8或X16 128KB ，引导块）低压单电源闪存 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory | M29W200BB55N1和M29W200BB70N1的区别 |