M58WR064ET70ZB6T

ST Microelectronics(意法半导体) 电子元器件分类

64兆位的4Mb ×16 ，多银行，突发1.8V供应快闪记忆体 64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory

FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb（4M x 16）并联 56-VFBGA（7.7x9）

得捷:
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA

Chip1Stop:
NOR Flash Parallel 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 70ns 56-Pin VFBGA T/R

M58WR064ET70ZB6T中文资料参数规格

技术参数

存取时间 70.0 ns

内存容量 64000000 B

电源电压 1.65V ~ 2.2V

封装参数

封装 VFBGA-56

外形尺寸

封装 VFBGA-56

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

M58WR064ET70ZB6T引脚图与封装图

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