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MT47H256M4HQ-3:E TR

MT47H256M4HQ-3:E TR

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA T/R

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb(256M x 4) 并联 333 MHz 450 ps 60-FBGA(8x11.5)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.8V 60-Pin FBGA T/R


Win Source:
IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA


MT47H256M4HQ-3:E TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

MT47H256M4HQ-3:E TR引脚图与封装图
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MT47H256M4HQ-3:E TR Micron 镁光 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA T/R 搜索库存