MT47H32M8BP-37V:B

Micron(镁光) 主动器件

IC SDRAM 256Mbit 266MHz 60FBGA

SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb 32M x 8 Parallel 267MHz 500ps 60-FBGA 8x12

得捷:
IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

MT47H32M8BP-37V:B中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 533MHz max

存取时间 3.75 ns

内存容量 256000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray, Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT47H32M8BP-37V:B引脚图与封装图

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MT47H32M8BP-37V:B	Micron 镁光	IC SDRAM 256Mbit 266MHz 60FBGA	搜索库存

替代型号MT47H32M8BP-37V:B

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MT47H32M8BP-37V:B 品牌： Micron 镁光封装： 60-FBGA 256000000B 1.8V 3.75ns	当前型号	IC SDRAM 256Mbit 266MHz 60FBGA	当前型号
型号： MT47H32M8BP-37E:B 品牌：镁光封装： FBGA	类似代替	DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 32Mx8 1.8V 60Pin FBGA Tray	MT47H32M8BP-37V:B和MT47H32M8BP-37E:B的区别
型号： MT47H32M8BP-37E 品牌：镁光封装： FBGA	类似代替	DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 32Mx8 1.8V 60Pin FBGA Tray	MT47H32M8BP-37V:B和MT47H32M8BP-37E的区别
型号： MT47H32M8FP-37E 品牌：镁光封装： FBGA	类似代替	DDR DRAM, 32MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 12 MM, FBGA-60	MT47H32M8BP-37V:B和MT47H32M8FP-37E的区别