MT41K128M16JT-125 XIT
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Micron
镁光
主动器件
MICRON MT41K128M16JT-125 XIT 芯片, 存储器, SDRAM, DDR3, 2GB, 96FBGA
是一个1.35V DDR3L SDRAM, 是1.5V DDR3 SDRAM的低电压版本.除另行说明外, DDR3L SDRAM设备符合等效密度标准或汽车DDR3 SDRAM中所描述的功能和时序规范.
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- VDD = VDDQ = 1.35V 1.283至1.45V
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- 向下兼容至VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
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- 差分双向数据频闪
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- 8n位预取架构
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- 差分时钟输入CK, CK#
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- 8 内部存储单元
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- 标称和动态片内端子ODT用于数据, 频闪和掩码信号
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- 可编程CAS READ 延迟CL
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- 可编程Posted CAS 加法延迟AL
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- 可编程CAS WRITE 延迟CWL
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- 固定突发长度 BL为8和爆裂BC为4 通过模式寄存器集 [MRS]
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- 可选择BC4或BL8 高速数据传输错误纠正OTF
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- 自刷新模式
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- TC, 0至+95°C, 64ms, 8192循环刷新 @ 0至+85°C, 32ms @ +85至+95°C
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- 自刷新温度 SRT
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- 自动自刷新ASR
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- 写水平
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- 多用寄存器
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- 输出驱动器校准
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- AEC-Q100认证