MS2473

Microsemi(美高森美) 分立器件

高功率共基极双极型晶体管。 high power COMMON BASE bipolar transistor.

RF NPN 65V 46A 1.09GHz 2300W 底座安装 M112

得捷:
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112

贸泽:
RF Bipolar Transistors Avionics/Bipolar Transistor

艾睿:
Trans RF BJT 46A 3-Pin Case M-112

Verical:
Trans RF BJT 46A 3-Pin Case M-112

MS2473中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2300 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

增益 6 dB

最小电流放大倍数hFE 5 @1A, 5V

额定功率Max 2300 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2300000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 M-112

外形尺寸

高度 5.64 mm

封装 M-112

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MS2473引脚图与封装图

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MS2473	Microsemi 美高森美	高功率共基极双极型晶体管。 high power COMMON BASE bipolar transistor.	搜索库存