频率 1090 MHz
耗散功率 880 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
增益 8 dB
最小电流放大倍数hFE 10 @5A, 5V
额定功率Max 880 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 880000 mW
安装方式 Screw
引脚数 4
封装 M-216
高度 5.84 mm
封装 M-216
工作温度 250℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MS2207 品牌: Microsemi 美高森美 封装: M216 880000mW | 当前型号 | Trans RF BJT NPN 24A 4Pin Case M-216 | 当前型号 | |
型号: MS2421 品牌: 美高森美 封装: M103 875000mW | 功能相似 | Trans RF BJT NPN 65V 22A 3Pin Case M-103 | MS2207和MS2421的区别 | |
型号: MS2422 品牌: 美高森美 封装: M138 875000mW | 功能相似 | Trans RF BJT 65V 22A 4Pin Style M138 | MS2207和MS2422的区别 | |
型号: MS2552 品牌: 美高森美 封装: 2NLFL 880000mW | 功能相似 | 射频与微波晶体管 RF & MICROWAVE TRANSISTORS | MS2207和MS2552的区别 |