锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MS2207

Trans RF BJT NPN 24A 4Pin Case M-216

RF NPN 65V 24A 1.09GHz 880W 底座安装 M216


得捷:
RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216


艾睿:
Trans RF BJT NPN 24A 4-Pin Case M-216


Verical:
Trans RF BJT NPN 24A 4-Pin Case M-216


Win Source:
TRANS RF BIPO 24A 65V M216


MS2207中文资料参数规格
技术参数

频率 1090 MHz

耗散功率 880 W

击穿电压集电极-发射极 65 V

增益 8 dB

最小电流放大倍数hFE 10 @5A, 5V

额定功率Max 880 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 880000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 4

封装 M-216

外形尺寸

高度 5.84 mm

封装 M-216

物理参数

工作温度 250℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MS2207引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MS2207
型号 制造商 描述 购买
MS2207 Microsemi 美高森美 Trans RF BJT NPN 24A 4Pin Case M-216 搜索库存
替代型号MS2207
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MS2207

品牌: Microsemi 美高森美

封装: M216 880000mW

当前型号

Trans RF BJT NPN 24A 4Pin Case M-216

当前型号

型号: MS2421

品牌: 美高森美

封装: M103 875000mW

功能相似

Trans RF BJT NPN 65V 22A 3Pin Case M-103

MS2207和MS2421的区别

型号: MS2422

品牌: 美高森美

封装: M138 875000mW

功能相似

Trans RF BJT 65V 22A 4Pin Style M138

MS2207和MS2422的区别

型号: MS2552

品牌: 美高森美

封装: 2NLFL 880000mW

功能相似

射频与微波晶体管 RF & MICROWAVE TRANSISTORS

MS2207和MS2552的区别