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M25P80-VMW6G

M25P80-VMW6G

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

MICRON  M25P80-VMW6G  闪存, 低电压, 8 Mbit, 1M x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, WSOIC, 8 引脚

是一款8MB 1Mb x 8串行闪存嵌入式存储器件, 8引脚NSOIC封装. 该器件具有先进的写入保护机制, 可通过高速SPI兼容总线进行访问. 该器件支持高达75MHz时钟频率的高性能命令. 存储器可以使用PAGE PROGRAM指令, 每次可编程1至256字节. 该存储器被组织为16个扇区, 每个扇区256页, 每页为256个字节. 存储器可以被视为4096页或1,048,576 byte. 整个存储器可以使用BULK ERASE指令清除, 也可以使用SECTOR ERASE指令清除单个扇区.

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单电源电压范围: 2.7V至3.6V
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页编程 最多256字节, 0.64ms
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0.6s扇区清除512KB
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批量擦除8MB, 8s
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硬件写入保护, 保护区大小由非易失性位BP0, BP1, BP2定义
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深度关断1µA
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JEDEC标准2字节签名 2014h
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每个扇区超过100000次写入, 数据保存超过20年
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工作温度范围为-40°C至+ 85°C
M25P80-VMW6G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.70V min

供电电流 15 mA

针脚数 8

时钟频率 75 MHz

位数 8

内存容量 1000000 B

存取时间Max 8 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WSOIC-8

外形尺寸

封装 WSOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Embedded Design & Development, 嵌入式设计与开发

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

M25P80-VMW6G引脚图与封装图
M25P80-VMW6G引脚图

M25P80-VMW6G引脚图

M25P80-VMW6G封装图

M25P80-VMW6G封装图

M25P80-VMW6G封装焊盘图

M25P80-VMW6G封装焊盘图

在线购买M25P80-VMW6G
型号 制造商 描述 购买
M25P80-VMW6G Micron 镁光 MICRON  M25P80-VMW6G  闪存, 低电压, 8 Mbit, 1M x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, WSOIC, 8 引脚 搜索库存
替代型号M25P80-VMW6G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: M25P80-VMW6G

品牌: Micron 镁光

封装: WSOIC 1000000B 2.7V 8Pin

当前型号

MICRON  M25P80-VMW6G  闪存, 低电压, 8 Mbit, 1M x 8位, 75 MHz, 串行, SPI, WSOIC, 8 引脚

当前型号

型号: M25P80-VMW6TG TR

品牌: 镁光

封装:

类似代替

Ic Flash 8Mbit 75MHz 8so

M25P80-VMW6G和M25P80-VMW6TG TR的区别

型号: MT25QL128ABA1ESE-0SIT

品牌: 镁光

封装: SOP

功能相似

闪存, 串行NOR, 128 Mbit, 16M x 8位, SPI, SOP, 8 引脚

M25P80-VMW6G和MT25QL128ABA1ESE-0SIT的区别