电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
供电电流 135 mA
时钟频率 133MHz max
位数 16
存取时间 133 µs
内存容量 256000000 B
存取时间Max 6ns, 5.4ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 54
封装 VFBGA-54
高度 0.65 mm
封装 VFBGA-54
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MT48LC16M16A2BG-75:D TR | Micron 镁光 | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin VFBGA T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MT48LC16M16A2BG-75:D TR 品牌: Micron 镁光 封装: 256000000B 3.3V 133µs | 当前型号 | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin VFBGA T/R | 当前型号 | |
型号: IS42S16160D-6BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: 54-TFBGA | 功能相似 | 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 Ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT | MT48LC16M16A2BG-75:D TR和IS42S16160D-6BLI的区别 | |
型号: IS42S16160D-7BLI 品牌: Integrated Silicon SolutionISSI 封装: TFBGA-54 | 功能相似 | RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM | MT48LC16M16A2BG-75:D TR和IS42S16160D-7BLI的区别 |