MCR18EZPJ821

ROHM Semiconductor 罗姆半导体被动器件

1206 820Ω ±5% 0.25W1/4W ±200ppm/℃

820 Ohms ±5% 0.25W，1/4W 芯片 1206（3216 公制）汽车级AEC-Q200 厚膜

得捷:
RES SMD 820 OHM 5% 1/4W 1206

安富利:
Res Thick Film 1206 820 Ohm 5% 1/4W ±200ppm/°C Molded SMD SMD Paper T/R

Chip1Stop:
Res Thick Film 3.2 x 1.6 mm 820 Ohm 5% 0.25W1/4W 200ppm/ C Molded SMD Paper T/R

Verical:
Res Thick Film 1206 820 Ohm 5% 0.25W1/4W ±200ppm/C Molded SMD Automotive T/R

MCR18EZPJ821中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

容差 ±5 %

额定功率 0.25 W

产品系列 MCR

电阻 820 Ω

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.55 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MCR18EZPJ821引脚图与封装图

MCR18EZPJ821引脚图

MCR18EZPJ821封装图

MCR18EZPJ821封装焊盘图

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型号	制造商	描述	购买
MCR18EZPJ821	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	1206 820Ω ±5% 0.25W1/4W ±200ppm/℃	搜索库存

替代型号MCR18EZPJ821

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MCR18EZPJ821 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体封装： 1206 820Ω 125mW ±5%	当前型号	1206 820Ω ±5% 0.25W1/4W ±200ppm/℃	当前型号
型号： ERJ-8GEYJ821V 品牌：松下封装： 1206 820ohms 250mW 5per	类似代替	ERJ 系列 1206 820 Ω ±5 % 0.25 W ±200 ppm/°C 模压厚膜贴片电阻	MCR18EZPJ821和ERJ-8GEYJ821V的区别
型号： RK73B2BTTD821J 品牌： KOA Speer 封装： 1206 820Ω ±5% 250mW 200V	类似代替	Res Thick Film 1206 820Ω 5% 0.25W1/4W 200ppm/℃ Molded SMD Punched Paper T/R	MCR18EZPJ821和RK73B2BTTD821J的区别
型号： RK73B2BTTED821J 品牌： KOA Speer 封装： 1206 820Ω ±5% 250mW	类似代替	Res Thick Film 1206 820Ω 5% 0.25W1/4W 200ppm/℃ Molded SMD Punched Plastic T/R	MCR18EZPJ821和RK73B2BTTED821J的区别