MCH3476-TL-W中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 93 mΩ
耗散功率 800 mW
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 128pF @10VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MCH3476-TL-W引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MCH3476-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3Pin MCPH T/R | 搜索库存 |