MCR50JZHJ112

ROHM Semiconductor 罗姆半导体被动器件

RES SMD 1.1KΩ 5% 0.5W1/2W 2010

1.1 kOhms ±5% 0.5W，1/2W 芯片 2010（5025 公制）汽车级AEC-Q200 厚膜

得捷:
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/2W 2010

Win Source:
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/2W 2010

MCR50JZHJ112中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定功率 500 mW

电阻 1.1 kΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 5025

封装 2010

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 2.5 mm

封装公制 5025

封装 2010

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MCR50JZHJ112引脚图与封装图

MCR50JZHJ112引脚图

MCR50JZHJ112封装图

MCR50JZHJ112封装焊盘图

在线购买MCR50JZHJ112

型号	制造商	描述	购买
MCR50JZHJ112	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	RES SMD 1.1KΩ 5% 0.5W1/2W 2010	搜索库存