
电源电压DC 5.50 V
耗散功率 550 mW
增益 17.5 dB
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TSLP-8
封装 TSLP-8
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MGA-631P8-TR2G | AVAGO Technologies 安华高科 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 GaAs RFIC LNA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MGA-631P8-TR2G 品牌: AVAGO Technologies 安华高科 封装: 8-WFDFN 5.5V | 当前型号 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 GaAs RFIC LNA | 当前型号 | |
型号: MGA-631P8-BLKG 品牌: 安华高科 封装: SMD/SMT 5.5V 1.1GHz 17.5dB 8Pin | 完全替代 | 400MHz - 1500MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, 2 X 2MM, 0.75MM HEIGHT, TSLP-8 | MGA-631P8-TR2G和MGA-631P8-BLKG的区别 | |
型号: MGA-633P8-BLKG 品牌: 安华高科 封装: QFN 5V 18dB 8Pin | 功能相似 | 450MHz - 2000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, 2 X 2MM, 0.75MM HEIGHT, MINIATURE, QFN-8 | MGA-631P8-TR2G和MGA-633P8-BLKG的区别 |