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MGA-631P8-TR2G

MGA-631P8-TR2G

数据手册.pdf
AVAGO Technologies 安华高科 主动器件
MGA-631P8-TR2G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.50 V

耗散功率 550 mW

增益 17.5 dB

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSLP-8

外形尺寸

封装 TSLP-8

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MGA-631P8-TR2G引脚图与封装图
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在线购买MGA-631P8-TR2G
型号 制造商 描述 购买
MGA-631P8-TR2G AVAGO Technologies 安华高科 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 GaAs RFIC LNA 搜索库存
替代型号MGA-631P8-TR2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MGA-631P8-TR2G

品牌: AVAGO Technologies 安华高科

封装: 8-WFDFN 5.5V

当前型号

射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 GaAs RFIC LNA

当前型号

型号: MGA-631P8-BLKG

品牌: 安华高科

封装: SMD/SMT 5.5V 1.1GHz 17.5dB 8Pin

完全替代

400MHz - 1500MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER, 2 X 2MM, 0.75MM HEIGHT, TSLP-8

MGA-631P8-TR2G和MGA-631P8-BLKG的区别

型号: MGA-633P8-BLKG

品牌: 安华高科

封装: QFN 5V 18dB 8Pin

功能相似

450MHz - 2000MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER, 2 X 2MM, 0.75MM HEIGHT, MINIATURE, QFN-8

MGA-631P8-TR2G和MGA-633P8-BLKG的区别