MT48LC8M16LFB4-10:G

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin VFBGA Tray

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 100MHz 7ns 54-VFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin VFBGA Tray

MT48LC8M16LFB4-10:G中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100MHz max

位数 16

存取时间 100 µs

内存容量 128000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 VFBGA-54

外形尺寸

高度 0.65 mm

封装 VFBGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT48LC8M16LFB4-10:G引脚图与封装图

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替代型号MT48LC8M16LFB4-10:G

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型号： MT48LC8M16LFB4-10:G 品牌： Micron 镁光封装： 54-VFBGA 128000000B 3.3V 100us	当前型号	DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin VFBGA Tray	当前型号
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