MT48H16M32L2B5-8

Micron(镁光) 电子元器件分类

IC SDRAM 512Mbit 125MHz 90VFBGA

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 125MHz 7.5ns 90-VFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA Tray

MT48H16M32L2B5-8中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

工作电压 1.80 V

时钟频率 125MHz max

存取时间 125 µs

内存容量 512000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-90

外形尺寸

封装 VFBGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT48H16M32L2B5-8引脚图与封装图

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