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MT48V4M32LFB5-8 IT:G

MT48V4M32LFB5-8 IT:G

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 90Pin VFBGA Tray

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb 4M x 32 Parallel 125MHz 7ns 90-VFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 90-Pin VFBGA Tray


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 4Mx32 2.5V 90-Pin VF-BGA Tray


Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 4Mx32 2.5V 90-Pin VFBGA Tray


Win Source:
IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 90VFBGA


MT48V4M32LFB5-8 IT:G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50 V, 2.70 V max

工作电压 2.50 V

时钟频率 125MHz max

位数 32

存取时间 125 µs

内存容量 128000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 VFBGA-90

外形尺寸

高度 0.65 mm

封装 VFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT48V4M32LFB5-8 IT:G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MT48V4M32LFB5-8 IT:G Micron 镁光 DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 4Mx32 2.5V 90Pin VFBGA Tray 搜索库存