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MT48H16M32LFCM-75:B TR

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数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90Pin VFBGA T/R

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb 16M x 32 Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA 10x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA T/R


Win Source:
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90VFBGA


MT48H16M32LFCM-75:B TR中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 VFBGA-90

外形尺寸

高度 0.65 mm

封装 VFBGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

MT48H16M32LFCM-75:B TR引脚图与封装图
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