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MT46V32M16TG-5B:C

MT46V32M16TG-5B:C

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66Pin TSOP Tray

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66-Pin TSOP Tray


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.6V 66-Pin TSOP Tray


Win Source:
IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 66TSOP


MT46V32M16TG-5B:C中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.60 V, 2.70 V max

工作电压 2.50 V

时钟频率 200MHz max

位数 16

存取时间 5.00 ns

内存容量 512000000 B

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 66

封装 TSOP-66

外形尺寸

封装 TSOP-66

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

MT46V32M16TG-5B:C引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MT46V32M16TG-5B:C Micron 镁光 DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66Pin TSOP Tray 搜索库存