MBT3904DW2T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MBT3904DW2T1G引脚图与封装图
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在线购买MBT3904DW2T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT3904DW2T1G | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | 搜索库存 |
替代型号MBT3904DW2T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT3904DW2T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-TSSOP NPN 40V 200mA | 当前型号 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors | 当前型号 |
| 型号： MBT3904DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MBT3904DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, 40 V, 150 mW, 200 mA, 300 hFE, SOT-363 | MBT3904DW2T1G和MBT3904DW1T1G的区别 |
| 型号： FFB3904 品牌： 安森美 封装： SOT-363 | 类似代替 | ON Semiconductor FFB3904, 双 NPN 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:300, 100 MHz, 6引脚 SOT-363 SC-70封装 | MBT3904DW2T1G和FFB3904的区别 |
| 型号： MMDT3904-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA 200mW | 功能相似 | 二极管与整流器 | MBT3904DW2T1G和MMDT3904-7-F的区别 |