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MLG0603Q9N1J

MLG0603Q9N1J

数据手册.pdf
TDK(东电化) 被动器件

FIXED IND 9.1nH 200mA 800MOHM

9.1 nH 无屏蔽 多层 器 200 mA 800 毫欧最大 0201(0603 公制)


得捷:
FIXED IND 9.1NH 200MA 800MOHM SM


艾睿:
Inductor High Frequency Chip Unshielded Multi-Layer 9.1nH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 200mA 800mOhm DCR 0201 T/R


MLG0603Q9N1J中文资料参数规格
技术参数

额定电流 200 mA

容差 ±5 %

电感 9.1 nH

自谐频率 3.6 GHz

屏蔽 No

测试频率 100 MHz

电阻DC) ≤800 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电阻DC Max 0.8 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 0201

外形尺寸

长度 600 µm

宽度 300 µm

高度 0.33 mm

封装 0201

物理参数

重量 200 µg

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MLG0603Q9N1J引脚图与封装图
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