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MSB710-RT1

MSB710-RT1

数据手册.pdf

PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~240 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −600mV/-0.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP silicon general purpose amplifier Transistor 描述与应用| PNP硅通用放大器

MSB710-RT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 120 @150mA, 10V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MSB710-RT1引脚图与封装图
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在线购买MSB710-RT1
型号 制造商 描述 购买
MSB710-RT1 ON Semiconductor 安森美 PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount 搜索库存
替代型号MSB710-RT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MSB710-RT1

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： SOT-23/SC-59 PNP -50V -500mA

当前型号

PNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface Mount

当前型号

型号： MMBTA55LT1G

品牌： 安森美

封装： SOT-23 PNP -60V -500mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA55LT1G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

MSB710-RT1和MMBTA55LT1G的区别

型号： MMBTA55-TP

品牌： 美微科

封装： TO-236-3 PNP -60V -500mA 225mW

功能相似

SOT-23 PNP 60V 0.5A

MSB710-RT1和MMBTA55-TP的区别

型号： BC808-16

品牌： Diotec Semiconductor

封装：

功能相似

Trans GP BJT PNP 25V 0.8A Automotive 3Pin SOT-23 T/R

MSB710-RT1和BC808-16的区别