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MJD42C1

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

Features

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves No Suffix

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “1” Suffix

• Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series

• Monolithic Construction With Built−in Base − Emitter Resistors

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

                   Machine Model, C > 400 V

• Pb−Free Packages are Available

MJD42C1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -6.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V

额定功率Max 1.75 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MJD42C1引脚图与封装图
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在线购买MJD42C1
型号 制造商 描述 购买
MJD42C1 ON Semiconductor 安森美 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors 搜索库存
替代型号MJD42C1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD42C1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-251-3 PNP -100V -6A

当前型号

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

当前型号

型号: MJD42C1G

品牌: 安森美

封装: TO-251 PNP -100V -6A 1750mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  MJD42C1G  Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -100 V, 3 MHz, 20 W, -6 A, 15 hFE 新

MJD42C1和MJD42C1G的区别

型号: MJD42CI

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

IPAK PNP 100V 6A

MJD42C1和MJD42CI的区别