MJD210RL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -5.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
额定功率Max 1.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MJD210RL引脚图与封装图
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在线购买MJD210RL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD210RL | ON Semiconductor 安森美 | 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors | 搜索库存 |
替代型号MJD210RL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD210RL 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-3 PNP -25V -5A | 当前型号 | 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors | 当前型号 |
| 型号： MJD210T4 品牌： 安森美 封装： DPAK -25V -5A | 完全替代 | 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors | MJD210RL和MJD210T4的区别 |
| 型号： NJVMJD210T4G 品牌： 安森美 封装： DPAK-4 PNP | 完全替代 | DPAK PNP 25V 5A | MJD210RL和NJVMJD210T4G的区别 |
| 型号： MJD210T4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP -25V -5A 1400mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD210T4G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE | MJD210RL和MJD210T4G的区别 |