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MPSA43,116

MPSA43,116

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SPT NPN 200V 0.1A

Bipolar BJT Transistor NPN 200V 100mA 50MHz 500mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS NPN 200V 0.1A TO92-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE RADIAL


MPSA43,116中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 500 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 200 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 40 @30mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 25 @1mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MPSA43,116引脚图与封装图
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MPSA43,116 NXP 恩智浦 SPT NPN 200V 0.1A 搜索库存