MMBT5089LT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 400 @100µA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT5089LT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBT5089LT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT5089LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 低噪声晶体管 Low Noise Transistors | 搜索库存 |
替代型号MMBT5089LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT5089LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 25V 50mA | 当前型号 | 低噪声晶体管 Low Noise Transistors | 当前型号 |
| 型号： MMBT5089LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 25V 50mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5089LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 50 MHz, 225 mW, 50 mA, 50 hFE | MMBT5089LT1和MMBT5089LT1G的区别 |
| 型号： MMBT5089 品牌： 安森美 封装： SOT-23 | 类似代替 | ON Semiconductor MMBT5089 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=25 V, HFE:400, 50 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | MMBT5089LT1和MMBT5089的区别 |