MPS3906,126
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
MPS3906,126中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 500 mW
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
MPS3906,126引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MPS3906,126
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS3906,126 | NXP 恩智浦 | SPT PNP 40V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号MPS3906,126
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS3906,126 品牌： NXP 恩智浦 封装： SPT PNP | 当前型号 | SPT PNP 40V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC560 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -45V -100mA | 功能相似 | PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | MPS3906,126和BC560的区别 |
| 型号： BC559 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | PNP通用晶体管 PNP general purpose transistor | MPS3906,126和BC559的区别 |
| 型号： MPS6516 品牌： Micro Electronics 封装： | 功能相似 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS | MPS3906,126和MPS6516的区别 |