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MD1711K6-G

MD1711K6-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 主动器件

MOSFET DRVR 2A 12Out High Speed 48Pin QFN EP Tray

超声波成像 PMIC 48-QFN(7x7)


得捷:
IC ULTRASOUND DRIVER 48VQFN


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MD1711K6-G


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Gate Drivers MOSFET HI SPD INTEGR ULTRASND DRVR


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Driver 2A 12-OUT High Speed 48-Pin QFN EP Tray


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MOSFET, HIGH SPEED, INTEGRATED ULTRASOUND DRIVER48 VQFN 7x7x1.0mm TRAY


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MD1711K6-G中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 12

供电电流 2 mA

耗散功率 1200 mW

上升时间 8 ns

下降时间 8 ns

下降时间Max 8 ns

上升时间Max 8 ns

工作温度Max 125 ℃

耗散功率Max 1200 mW

电源电压 1.3V ~ 5V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 QFN-48

外形尺寸

封装 QFN-48

物理参数

工作温度 0℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

制造应用 超声波成像

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MD1711K6-G引脚图与封装图
MD1711K6-G引脚图

MD1711K6-G引脚图

MD1711K6-G封装图

MD1711K6-G封装图

MD1711K6-G封装焊盘图

MD1711K6-G封装焊盘图

在线购买MD1711K6-G
型号 制造商 描述 购买
MD1711K6-G Microchip 微芯 MOSFET DRVR 2A 12Out High Speed 48Pin QFN EP Tray 搜索库存
替代型号MD1711K6-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MD1711K6-G

品牌: Microchip 微芯

封装: QFN-48

当前型号

MOSFET DRVR 2A 12Out High Speed 48Pin QFN EP Tray

当前型号

型号: MD1711K6-G-M933

品牌: 微芯

封装: 48-VFQFN

完全替代

Driver 2A 12Out High Speed 48Pin QFN EP T/R

MD1711K6-G和MD1711K6-G-M933的区别