MMBT3906-HF
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Comchip Technology
上华科技
分立器件
MMBT3906-HF中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBT3906-HF引脚图与封装图
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在线购买MMBT3906-HF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT3906-HF | Comchip Technology 上华科技 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Transistor I=-200mA | 搜索库存 |
替代型号MMBT3906-HF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT3906-HF 品牌： Comchip Technology 上华科技 封装： TO-236 PNP | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Transistor I=-200mA | 当前型号 |
| 型号： MMBT3906-G 品牌： 上华科技 封装： SOT-23 PNP | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT VCEO=40V IC=100mA | MMBT3906-HF和MMBT3906-G的区别 |
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