频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.6 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
MMST2222AT146引脚图
MMST2222AT146封装图
MMST2222AT146封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
MMST2222AT146 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | SMT NPN 40V 0.6A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: MMST2222AT146 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SMT NPN 40V 600mA 0.2W | 当前型号 | SMT NPN 40V 0.6A | 当前型号 | |
型号: SST2222AT116 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW | 类似代替 | ROHM SST2222AT116 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 150 mA, 100 hFE | MMST2222AT146和SST2222AT116的区别 | |
型号: MMBT2222ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT2222ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFE | MMST2222AT146和MMBT2222ALT1G的区别 | |
型号: MMBT2222A-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 NPN 40V 600mA 350mW | 功能相似 | 三极管 | MMST2222AT146和MMBT2222A-7-F的区别 |