MTZJT-779.1C
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
MTZJT-779.1C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 9.10 V
容差 ±3 %
额定功率 500 mW
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 9.1 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-34-2
外形尺寸
封装 DO-34-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MTZJT-779.1C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MTZJT-779.1C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTZJT-779.1C | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 稳压二极管 9.1V 5MA | 搜索库存 |