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MTZJT-778.2C

MTZJT-778.2C

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

DIODE ZENER 8.2V 0.5W1/2W MSD

- 齐纳 8.2 V 500 mW ±3% 通孔 MSD


得捷:
DIODE ZENER 8.2V 500MW MSD


MTZJT-778.2C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 8.20 V

容差 ±3 %

额定功率 500 mW

耗散功率 500 mW

稳压值 8.2 V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-204AG

外形尺寸

封装 DO-204AG

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MTZJT-778.2C引脚图与封装图
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