MTZJT-776.2B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
MTZJT-776.2B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.20 V
容差 ±3 %
额定功率 500 mW
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 6.115 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-204AG
外形尺寸
长度 2.7 mm
宽度 1.8 mm
高度 1.8 mm
封装 DO-204AG
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
香港进出口证 NLR
MTZJT-776.2B引脚图与封装图
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在线购买MTZJT-776.2B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTZJT-776.2B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | MSD 6.115V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号MTZJT-776.2B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTZJT-776.2B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： MSD 6.2V | 当前型号 | MSD 6.115V 0.5W1/2W | 当前型号 |
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