MTZJT-777.5A
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
MTZJT-777.5A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 7.50 V
容差 ±3 %
额定功率 500 mW
耗散功率 500 mW
稳压值 7.5 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AG
外形尺寸
封装 DO-204AG
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MTZJT-777.5A引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTZJT-777.5A | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | DIODE ZENER 7.5V 0.5W1/2W MSD | 搜索库存 |
替代型号MTZJT-777.5A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTZJT-777.5A 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： DO-34 7.5V | 当前型号 | DIODE ZENER 7.5V 0.5W1/2W MSD | 当前型号 |
| 型号： MTZJT-727.5A 品牌： 罗姆半导体 封装： | 完全替代 | Zener Diodes DIODE ZENER SNGL 3% 0.5W1/2W 2Pin MSD | MTZJT-777.5A和MTZJT-727.5A的区别 |
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| 型号： MTZJT-773.3A 品牌： 罗姆半导体 封装： DO-204 | 类似代替 | DIODE ZENER 3.3V 0.5W1/2W DO34 | MTZJT-777.5A和MTZJT-773.3A的区别 |