MTZJT-7730B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
MTZJT-7730B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
容差 ±3 %
额定功率 500 mW
耗散功率 500 mW
稳压值 30 V
额定功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-204AG
外形尺寸
封装 DO-204AG
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MTZJT-7730B引脚图与封装图
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在线购买MTZJT-7730B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTZJT-7730B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | MSD 28.415V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号MTZJT-7730B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTZJT-7730B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： DO-204 30V | 当前型号 | MSD 28.415V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： MTZJT-7224B 品牌： 罗姆半导体 封装： DO-204AG | 类似代替 | DIODE ZENER 24V 0.5W1/2W DO34 | MTZJT-7730B和MTZJT-7224B的区别 |
| 型号： MTZJT-726.2B 品牌： 罗姆半导体 封装： DO-204AG | 类似代替 | MSD 6.115V 0.5W1/2W | MTZJT-7730B和MTZJT-726.2B的区别 |
| 型号： MTZJT-7212B 品牌： 罗姆半导体 封装： | 类似代替 | DIODE ZENER 12V 0.5W1/2W DO34 | MTZJT-7730B和MTZJT-7212B的区别 |