MAL219847331E3中文资料参数规格
技术参数
电容 330 µF
等效串联电阻ESR 290mΩ @100Hz
容差 ±20 %
纹波电流 2.22A @100Hz
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
额定电压 450 V
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚间距 10 mm
外形尺寸
高度 50 mm
引脚间距 10 mm
物理参数
工作温度 -25℃ ~ 85℃
其他
寿命（小时） 15000h @85℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MAL219847331E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MAL219847331E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY MAL219847331E3 铝电解电容, 摁入式, 198 PHR-SI系列, 330 µF, ± 20%, 450 V, 30 mm, 0.724 ohm | 搜索库存 |
替代型号MAL219847331E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： MAL219847331E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | VISHAY MAL219847331E3 铝电解电容, 摁入式, 198 PHR-SI系列, 330 µF, ± 20%, 450 V, 30 mm, 0.724 ohm | 当前型号 |
| 型号： EETED2W331KJ 品牌： 松下 封装： 330µF ±20% 450V | 功能相似 | ED 系列类型 TS高可靠性电容器，带高波纹电流且为薄型 印刷电路板节距为 10mm 适用于开关模式电源 | MAL219847331E3和EETED2W331KJ的区别 |