MC33151DR2中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 18.0V max
上升/下降时间 31ns, 32ns
输出接口数 2
供电电流 10.5 mA
耗散功率 560 mW
上升时间 31 ns
输出电流Max 1.5 A
下降时间 32 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 560 mW
电源电压 6.5V ~ 18V
电源电压Min 6.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MC33151DR2引脚图与封装图 
MC33151DR2引脚图
MC33151DR2封装图
MC33151DR2封装焊盘图
在线购买MC33151DR2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC33151DR2 | ON Semiconductor 安森美 | 高速双MOSFET驱动器 High Speed Dual MOSFET Drivers | 搜索库存 |
替代型号MC33151DR2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC33151DR2 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： Surface 18V 8Pin | 当前型号 | 高速双MOSFET驱动器 High Speed Dual MOSFET Drivers | 当前型号 |
| 型号： MC33151DR2G 品牌： 安森美 封装： SOP 18V 8Pin | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MC33151DR2G MOSFET Driver, 6.5V-18V supply, SOIC-8 新 | MC33151DR2和MC33151DR2G的区别 |