MAX5063DASA-T
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
主动器件
MAX5063DASA-T中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 12.6V max
上升/下降时间 65 ns
输出接口数 2
供电电流 3 mA
上升时间 65 ns
下降时间 65 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1538.5 mW
电源电压 8V ~ 12.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MAX5063DASA-T引脚图与封装图 
MAX5063DASA-T引脚图
MAX5063DASA-T封装图
MAX5063DASA-T封装焊盘图
在线购买MAX5063DASA-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MAX5063DASA-T | Maxim Integrated 美信 | MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R | 搜索库存 |
替代型号MAX5063DASA-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MAX5063DASA-T 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： Surface 12.6V | 当前型号 | MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R | 当前型号 |
| 型号： MAX5063DASA+ 品牌： 美信 封装： SOIC 12.6V | 完全替代 | MOSFET 和 IGBT 驱动器，Maxim Integrated### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Maxim Integrated | MAX5063DASA-T和MAX5063DASA+的区别 |
| 型号： MAX5063DASA+T 品牌： 美信 封装： Surface 12.6V | 完全替代 | Driver 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv Automotive 8Pin SOIC EP T/R | MAX5063DASA-T和MAX5063DASA+T的区别 |
| 型号： MAX5063DASA 品牌： 美信 封装： Surface 12.6V | 类似代替 | MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin SOIC EP | MAX5063DASA-T和MAX5063DASA的区别 |