MAX5062CASA+T

Maxim Integrated(美信) 主动器件

MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC EP T/R

Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP T/R

MAX5062CASA+T中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 12.6V max

上升/下降时间 65 ns

输出接口数 2

耗散功率 1538.5 mW

下降时间Max 65 ns

上升时间Max 65 ns

耗散功率Max 1538.5 mW

电源电压 8V ~ 12.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MAX5062CASA+T引脚图与封装图

MAX5062CASA+T引脚图

MAX5062CASA+T封装图

MAX5062CASA+T封装焊盘图

在线购买MAX5062CASA+T

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MAX5062CASA+T	Maxim Integrated 美信	MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R	搜索库存

替代型号MAX5062CASA+T

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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型号： MAX5062CASA+ 品牌：美信封装： Surface 12.6V	完全替代	门驱动器 125V 2A Half-Bridge MOSFET Driver	MAX5062CASA+T和MAX5062CASA+的区别
型号： MAX5062CASA 品牌：美信封装： Surface 12.6V	完全替代	125V / 2A ，高速，半桥MOSFET驱动器 125V/2A, High-Speed, Half-Bridge MOSFET Drivers	MAX5062CASA+T和MAX5062CASA的区别
型号： MAX5062CASA-T 品牌：美信封装： Surface 12.6V	完全替代	MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R	MAX5062CASA+T和MAX5062CASA-T的区别