MAX8552EUB+T
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
主动器件
MAX8552EUB+T中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 6.50V max
上升/下降时间 14ns, 9ns
输出接口数 2
耗散功率 444.4 mW
下降时间Max 9 ns
上升时间Max 14 ns
耗散功率Max 444.4 mW
电源电压 4.5V ~ 6.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TFSOP-10
外形尺寸
封装 TFSOP-10
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MAX8552EUB+T引脚图与封装图 
MAX8552EUB+T引脚图
MAX8552EUB+T封装图
MAX8552EUB+T封装焊盘图
在线购买MAX8552EUB+T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MAX8552EUB+T | Maxim Integrated 美信 | 半桥 MOSFET | 搜索库存 |
替代型号MAX8552EUB+T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MAX8552EUB+T 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： uMAX 6.5V | 当前型号 | 半桥 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： MAX8552EUB+ 品牌： 美信 封装： Surface 6.5V | 功能相似 | 半桥 MOSFET | MAX8552EUB+T和MAX8552EUB+的区别 |