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MAX17605ASA+T

MAX17605ASA+T

数据手册.pdf

低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

低端 栅极驱动器 IC 反相,非反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A


Chip1Stop:
Driver 4A 2-OUT High Speed Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R


MAX17605ASA+T中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 40ns, 25ns

输出接口数 2

电源电压 4V ~ 14V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MAX17605ASA+T引脚图与封装图
MAX17605ASA+T引脚图

MAX17605ASA+T引脚图

MAX17605ASA+T封装图

MAX17605ASA+T封装图

MAX17605ASA+T封装焊盘图

MAX17605ASA+T封装焊盘图

在线购买MAX17605ASA+T
型号 制造商 描述 购买
MAX17605ASA+T Maxim Integrated 美信 低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A 搜索库存
替代型号MAX17605ASA+T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MAX17605ASA+T

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: Surface

当前型号

低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

当前型号

型号: MAX17605ASA+

品牌: 美信

封装: SOIC-8

完全替代

MOSFET DRVR 4A 2Out High Speed Inv/Non-Inv 8Pin SOIC

MAX17605ASA+T和MAX17605ASA+的区别