MAL215099116E3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
电容 1000 µF
容差 ±20 %
纹波电流 1.074 A
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD
外形尺寸
高度 16 mm
直径 18.0 mm
封装 SMD
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 105℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
寿命（小时） 10000h @105℃
制造应用 车用, Automotive
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MAL215099116E3引脚图与封装图
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在线购买MAL215099116E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MAL215099116E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY MAL215099116E3 铝电解电容, 表面贴装, AEC-Q200 150 CRZ系列, 1000 µF, 50 V, Radial Can - SMD, 18 mm | 搜索库存 |
替代型号MAL215099116E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MAL215099116E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： Radial 1mF 50V | 当前型号 | VISHAY MAL215099116E3 铝电解电容, 表面贴装, AEC-Q200 150 CRZ系列, 1000 µF, 50 V, Radial Can - SMD, 18 mm | 当前型号 |
| 型号： EEV-TG1H102M 品牌： 松下 封装： Radial 1kF 50V 20per | 功能相似 | PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS EEV-TG1H102M 铝电解电容, 1000UF, 50V, 20%, SMD, 整卷 新 | MAL215099116E3和EEV-TG1H102M的区别 |
| 型号： EEVTG1H102M 品牌： 松下 封装： Radial 1kF 50V ±20% | 功能相似 | 铝电解电容器/ TG Aluminum Electrolytic Capacitor/TG | MAL215099116E3和EEVTG1H102M的区别 |