MPQ8039GN-AEC1
数据手册.pdf
Monolithic Power Systems
美国芯源系统
主动器件
MPQ8039GN-AEC1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2.5 W
上升时间 20 ns
下降时间 20 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 7.5V ~ 24V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MPQ8039GN-AEC1引脚图与封装图
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在线购买MPQ8039GN-AEC1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPQ8039GN-AEC1 | Monolithic Power Systems 美国芯源系统 | 门驱动器 HighCurr Power Half Brdg AEC-Q100Qualifd | 搜索库存 |
替代型号MPQ8039GN-AEC1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPQ8039GN-AEC1 品牌： Monolithic Power Systems 美国芯源系统 封装： 8-SOIC | 当前型号 | 门驱动器 HighCurr Power Half Brdg AEC-Q100Qualifd | 当前型号 |
| 型号： MPQ8039GN-AEC1-Z 品牌： 美国芯源系统 封装： | 完全替代 | MOSFET DRVR 1Out Hi/Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R | MPQ8039GN-AEC1和MPQ8039GN-AEC1-Z的区别 |