MT8VDDT6464HG-40BD1
数据手册.pdfMicron(镁光)
电子元器件分类
MT8VDDT6464HG-40BD1中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 2.60 V
时钟频率 200 MHz
存取时间 200 µs
内存容量 512000000 B
封装参数
封装 SODIMM-200
外形尺寸
高度 31.8 mm
封装 SODIMM-200
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MT8VDDT6464HG-40BD1引脚图与封装图 
MT8VDDT6464HG-40BD1封装图
MT8VDDT6464HG-40BD1封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MT8VDDT6464HG-40BD1 | Micron 镁光 | MODULE DDR SDRAM 512Mb 200SODIMM | 搜索库存 |