MBRD835L-T-F
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Vishay Semiconductor
威世
分立器件
MBRD835L-T-F中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 35.0 V
额定电流 8.00 A
电容 600 pF
输出电流 ≤8.00 A
正向电压 510mV @8A
极性 Standard
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MBRD835L-T-F引脚图与封装图
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在线购买MBRD835L-T-F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBRD835L-T-F | Vishay Semiconductor 威世 | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK | 搜索库存 |
替代型号MBRD835L-T-F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBRD835L-T-F 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK | 当前型号 |
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